LDR r2, =FlashBase ;Flash起始地址
//第一步,UNLOCK的64个block,步骤和上边一样
MOV r1,#63 ;63x64k block 计数
01 LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIG_SETUP
STRB r3, [r2] ;该block的首地址
LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_UNLOCK_BLOCK
STRB r3, [r2] ;将Unlock命令写入
ADD r2, r2, #0x10000 ;64K
SUBS r1, r1, #1
BNE %b01
;Unlock OK ;Unlock 完成
//第二布,擦除blocks
LDR r0, =FlashBase
LDR r1,=63 ;擦除 63x64k block
01 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_ERASE
LDR r2, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIRM
ORR r3, r3, r2, LSL #16
STR r3, [r0]
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS ;检查寄存器状态
STRB r3, [r0]
02 LDRB r3, [r0] ;读状态
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02 ;若状态ready,执行下一个
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
BNE error_erase_block
ADD r0, r0, #0x10000
SUBS r1, r1, #1
BNE %b01
B EraseOK
error_erase_block
..............
;EraseOK ;擦除完成
//第三步,检查flash是否为空
;Check Flash Empty
LDR r4, =FlashBase
LDR r5, =0x100000 ;检查 1MB
LDR r0, =0xffffffff
loop_1
LDR r1, [r4]
CMP r1, r0 ;比较地址内容和0xffffffff
BNE empty_error
ADD r4, r4, #4
CMP r4, r5
BLO loop_1
B CheckOK
empty_error
.................
CheckOK
.................
;Check empty OK ;检查完成
//第四步,写flash
;Burn data to Flash ROM
LDR r6, =Length_Flash ;定义数据长度
LDR r0, =FlashBase
LDR r1, =BufferBase
MOV r9, #0
LDR r4,=0x10000000
LDR r7,=0xc0001000
STR r4, [r7]
LDR r1, [r1, r9]
03 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
STRB r3, [r0] ;把写命令放入Block首地址
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
LDR r2, [r7]
LDR r5, =0x0000ffff
AND r2, r2, r5
ORR r2, r2, r3, LSL #16
STR r2, [r0]
02 LDR r3, [r0] ;读状态寄存器状态
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02 ;若状态ready,执行下一个
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
LDR r2, [r7]
LDR r5, =0xffff0000 ;
AND r2, r2, r5
ORR r3, r3, r2
STR r3, [r0]
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
STRB r3, [r0]
02 LDR r3, [r0] ; read status
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
BEQ %b02
LDR r4, =X16_FLASH_COMMAND_READ
STRB r4, [r0]
ADD r0, r0, #4
LDR r8, [r7]
ADD r8, r8,#1
STR r8, [r7]
ADD r8, r8, #4
writenext
SUBS r6, r6, #4 ;if no finished goto 03
BHI %b03
TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
BNE error_write
LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_READ
STRB r3, [r0]
B BurnOK
error_write
..........
BurnOK
闪存技术
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可*性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可*性。
寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可*性。
坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡