3．NAND FLASH 的软件编写和调试
NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤：设置相关寄存器、NAND 设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写（带ECC校验 ）
NAND设备的操作都是需要通过命令来完成，不同厂家的命令稍有不同，以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。
表2 K9F1208U0M Command Sets
1) 根据2410寄存器定义如下的命令宏
#define NF_CMD(cmd) {rNFCMD=cmd;}
#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR=addr;}
#define NF_nFCE_L() {rNFCONF&=~(1<<11);}
#define NF_nFCE_H() {rNFCONF|=(1<<11);}
#define NF_RSTECC() {rNFCONF|=(1<<12);}
#define NF_RDDATA() (rNFDATA)
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}
#define NF_WAITRB() {while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}
//wait tWB and check F_RNB pin.
2) NAND 设备的初始化
static void NF_Init(void) //Flash 初始化
{
rNFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0); //设置NAND设备的相关寄存器
// 1 1 1 1, 1 xxx, r xxx, r xxx
// En 512B 4step ECCR nFCE="H" tACLS tWRPH0 tWRPH1
NF_Reset();
}
static void NF_Reset(void) //Flash重置
{
int i;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0xFF); //reset command
for(i=0;i<10;i++); //tWB = 100ns
NF_WAITRB(); //wait 200~500us;
NF_nFCE_H();
}
3) NAND设备的识别 //#define ID_K9F1208U0M 0xec76
static U16 NF_CheckId(void) //Id 辨别
{
int i;
U16 id;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x90);
NF_ADDR(0x0);
for(i=0;i<10;i++); //wait tWB(100ns)
id=NF_RDDATA()<<8; // Maker code(K9F1208U:0xec)
id|=NF_RDDATA(); // Devide code(K9F1208U:0x76)
NF_nFCE_H();
return id;
}
4) NAND 的擦操作
static int NF_EraseBlock(U32 block)
{
U32 blockPage=(block<<5);
int i;
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x60[q1] ); // Erase one block 1st command
NF_ADDR(blockPage&0xff); // Page number="0"
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);
NF_CMD(0xd0[q2] ); // Erase one blcok 2nd command
for(i=0;i<10;i++); //wait tWB(100ns)//??????
NF_WAITRB(); // Wait tBERS max 3ms.
NF_CMD(0x70); // Read status command
if (NF_RDDATA()&0x1) // Erase error
{
NF_nFCE_H();
Uart_Printf("[ERASE_ERROR:block#=%d]\n",block);
return 0;
}
else
{
NF_nFCE_H();
return 1;
}
}
5) NAND 的读操作
static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer) //读Flash
{
int i;
unsigned int blockPage;
U8 ecc0,ecc1,ecc2;
U8 *bufPt=buffer;
U8 se[16];
page=page&0x1f; //32页
blockPage=(block<<5)+page; //1Bolck包含32页
NF_RSTECC(); // Initialize ECC
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x00); // Read command
NF_ADDR(0); // Column = 0
NF_ADDR(blockPage&0xff); //
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff); // Block & Page num.
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff); //
for(i=0;i<10;i++); //wait tWB(100ns)
NF_WAITRB(); // Wait tR(max 12us)
for(i=0;i<512;i++)
{
*bufPt++=NF_RDDATA(); // Read one page
}
/************************ECC校验***************************/
ecc0=rNFECC0; //利用2410自带的硬件ECC校验
ecc1=rNFECC1;
ecc2=rNFECC2;
[q3] for(i=0;i<16;i++)
{
se[i]=NF_RDDATA(); // Read spare array
//读页内冗余的16B
}
NF_nFCE_H();
if(ecc0==se[0] && ecc1==se[1] && ecc2==se[2]) //未知使用哪一种软件规范？
{ //比较数据结果是否正确
Uart_Printf("[ECC OK:%x,%x,%x]\n",se[0],se[1],se[2]);
return 1;
}
else
{
Uart_Printf("[ECC ERROR(RD):read:%x,%x,%x, reg:%x,%x,%x]\n",
se[0],se[1],se[2],ecc0,ecc1,ecc2);
return 0;
}
}
6) NAND 的写操作
static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer) //写Flash
{
int i;
U32 blockPage=(block<<5)+page;
U8 *bufPt=buffer;
NF_RSTECC(); // Initialize ECC
NF_nFCE_L();
NF_CMD(0x0[q4] ); //?????\\Read Mode 1
NF_CMD(0x80); // Write 1st command,数据输入
NF_ADDR(0); // Column 0
NF_ADDR(blockPage&0xff);
NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff); // Block & page num.
NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);
for(i=0;i<512;i++)
{
NF_WRDATA(*bufPt++); // Write one page to NFM from buffer
}
seBuf[0]=rNFECC0;
seBuf[1]=rNFECC1;
seBuf[2]=rNFECC2;
seBuf[5]=0xff; // Marking good block
for(i=0;i<16;i++)
{
NF_WRDATA(seBuf[i]); // Write spare array(ECC and Mark)
}
[q5]
NF_CMD(0x10); // Write 2nd command
for(i=0;i<10;i++); //tWB = 100ns. ////??????
NF_WAITRB(); //wait tPROG 200~500us;
NF_CMD(0x70); // Read status command
for(i=0;i<3;i++); //twhr=60ns
if (NF_RDDATA()&0x1) // Page write error
{
NF_nFCE_H();
Uart_Printf("[PROGRAM_ERROR:block#=%d]\n",block);
return 0;
}
else
{
NF_nFCE_H();
#if (WRITEVERIFY==1)
//return NF_VerifyPage(block,page,pPage);
#else
return 1;
#endif
}
}