OUM是一种非常奇妙的数据存储技术,它是在20世纪60年代由 Stanford Ovshinsky最早研究的,目的在于非挥发性的Flash、SRAM的速度和DRAM的小型化之间取得平衡。
现在闪存是最常见的非挥发性存储格式了,其他还有EEPROM和FRAM。在电源关闭的时候,数据不会丢失。闪存格式主要有两种,分别是NOR和NAND,不需要太多的细节。NOR型闪存主要用在通过直接的数据/地址总线传输执行代码更小的设备上,像PC的BIOS;而NAND 型闪存的传输方式更像IDE设备,用于较大型的设备。
这两种闪存技术都需要门电路晶体管存储数据值,将电容器建在MOSFET门电路内是一种有效的方法,另外一个门电路在附近去负责充电荷或移除电荷。电容器存储电荷的多少将决定需要多少的电压来开启或关闭晶体管。
闪存存储方式的问题在于存储单元的有限写入次数大概只有10-100,000次,事实上你只能在一个存储单元中写入0值,存储1值得方式是擦除多个存储单元的存储块,然后全部重写。当然,这个过程是如此之短以至于你不能发觉。
OUM则是一个新的伙伴,OUM使用金属的相变来存储数据位,非常接近于可刻录光盘。与晶体管的开关来表示1或0不同,OUM用金属的在晶态和非晶态之间的相变来表示。
处于晶态时,阻抗更小,能够高度定制,所以简单地得知它的状态,当然它也是非挥发性的。这对制造厂商也是非常简单,它只需要讲一片薄层金属沉淀在芯片上,这比简单多了,实际上它的也能保持长时间的存储,达到10万亿次写入次数。更小的电压、更快的速度、而且在缩小时表现更好,不像DRAM,除非你让它直立,当体积缩小减少电容器的容量会降低性能。
它似乎是个全能冠军,不过商业化还需要一段时间。2000年,英特尔入股Ovonyx。此后,Ovonyx先后向意法半导体、日本的Elpida,以及三星授权OUM存储技术,希望作为闪存的潜在替代品。也许我们会在将来的的iPOD产品中看到它。
posted on 2006-07-12 15:10
heptachord@杯中瑶琴 阅读(134)
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